型号：FP101-TL
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100mA
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：400mA
　　导通电阻(RDS(on))：典型值5.5Ω（VGS=10V, ID=10mA）
　　阈值电压(VGS(th))：0.8V ~ 1.5V（ID=1mA）
　　输入电容(Ciss)：约12pF（VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容(Coss)：约6pF
　　反向传输电容(Crss)：约1pF
　　功耗(PD)：200mW
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

FP101-TL具备优异的开关特性和稳定的直流参数，适用于高频小信号切换场景。其N沟道结构在低栅极驱动电压下即可实现有效导通，特别适合3.3V或5V逻辑控制的应用环境。该器件的阈值电压较低，通常在0.8V至1.5V之间，使得它能够在微控制器或其他低电平信号源直接驱动下正常工作，无需额外的电平转换电路，从而简化系统设计并降低成本。此外，其导通电阻RDS(on)在轻载条件下保持在较低水平（典型值5.5Ω），有助于减少导通损耗，提高整体能效。
　　该MOSFET的寄生电容较小，输入电容Ciss约为12pF，输出电容Coss约为6pF，这使其在高频开关应用中表现出色，能够实现快速的上升和下降时间，减少开关延迟和能量损耗。这对于需要高速响应的数字开关电路、LED驱动或信号路由非常有利。同时，由于其封装尺寸小（SOT-23），热阻相对较高，因此在持续大电流应用中需注意功耗管理与散热设计。不过，在额定100mA连续漏极电流范围内，器件可以长期稳定运行。
　　FP101-TL采用先进的沟槽型工艺制造，提升了单位面积下的载流能力，并增强了器件的一致性和可靠性。该工艺还改善了温度稳定性，使RDS(on)随温度变化较小，确保在不同工作温度下性能波动最小。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护），可承受一定程度的人体模型（HBM）放电，提高了生产装配过程中的鲁棒性。总体而言，FP101-TL是一款面向通用开关应用的小信号MOSFET，兼顾性能、尺寸与成本，广泛应用于各类嵌入式系统和便携设备中。

FP101-TL常用于便携式电子设备中的电源开关、负载切换和信号控制电路。例如，在智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中，可用于控制外设模块的供电通断，如摄像头模组、传感器或无线通信芯片的电源管理，以实现节能待机或动态电源分配。此外，它也适用于LED指示灯驱动电路，作为低电流LED的开关元件，利用其快速响应特性实现精确的亮度调节或闪烁控制。
　　在消费类电子产品中，FP101-TL可用于音频信号路径切换、模拟开关或继电器替代方案，因其低导通电阻和小尺寸优势，特别适合高密度PCB布局。在工业控制和自动化设备中，该器件可用于隔离数字控制信号与执行机构之间的连接，例如驱动光耦输入侧或小型电磁阀。另外，由于其良好的高频特性，也可用于射频前端电路中的天线切换或滤波器选择开关。
　　在电池管理系统（BMS）或充电控制电路中，FP101-TL可用于过放电保护或充电使能信号的传递路径中，作为控制通路的一部分。其低静态功耗特性有助于延长电池寿命。此外，在各种微控制器单元（MCU）外围电路中，该MOSFET常被用作GPIO扩展开关，实现对多个负载的独立控制。总之，FP101-TL凭借其小型化、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于需要紧凑设计和高效开关性能的各种电子系统中。

2N7002K,RJM2N7002DHP,RJK0012DSP