时间：2025/5/27 15:03:46
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FN31X222K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
FN31X222K500PXG 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 PXG，适合高密度设计需求。通过优化的沟槽结构设计，该器件能够在高频开关条件下保持高效的能量转换。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：22A
导通电阻（典型值）：31mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：2400pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PXG
FN31X222K500PXG 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，支持高达 500V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (31mΩ)，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，使得开关频率得以提升。
4. 强大的散热性能，可承受较高结温，确保在极端条件下的可靠性。
5. 小型化封装 PXG 提供更高的功率密度，满足紧凑型设计需求。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种恶劣环境。
FN31X222K500PXG 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 光伏逆变器中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
6. 电动车和混合动力车中的辅助电源系统。
IRFP460, FDP18N50C, STP120NF50
