时间：2025/5/23 2:54:43
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FN31N562J500PXG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其设计优化了效率和可靠性，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：31A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：140nC
开关时间：开通延迟时间180ns，关断传播时间75ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 高耐压能力，适合高压工业应用。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗。
3. 快速的开关速度，支持高频操作。
4. 良好的热稳定性和抗雪崩能力，提高系统可靠性。
5. 小封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机控制与驱动
3. DC-DC转换器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车中的电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRFP250N, STW120N5, FDP18N65C4
