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FN31N562J500PXG 发布时间 时间:2025/5/23 2:54:43 查看 阅读:19

FN31N562J500PXG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其设计优化了效率和可靠性,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:560V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:140nC
  开关时间:开通延迟时间180ns,关断传播时间75ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压工业应用。
  2. 极低的导通电阻,减少功率损耗。
  3. 快速的开关速度,支持高频操作。
  4. 良好的热稳定性和抗雪崩能力,提高系统可靠性。
  5. 小封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机控制与驱动
  3. DC-DC转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动汽车中的电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块

替代型号

IRFP250N, STW120N5, FDP18N65C4

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