时间：2025/5/29 13:57:51
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FN31N333J500EPG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该型号适合在高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：330V
Rds(on)（导通电阻）：250mΩ
Id（连续漏极电流）：11A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：4V
f(switching)（最大开关频率）：500kHz
Qg（总栅极电荷）：28nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
Tj（结温范围）：-55℃至+175℃
FN31N333J500EPG 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压 (330V)，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻 (250mΩ)，减少传导损耗并提高效率。
3. 优异的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
4. 快速开关能力，支持高达 500kHz 的开关频率，降低电磁干扰 (EMI)。
5. 内置雪崩保护功能，增强器件的耐用性。
6. 小巧的封装设计，节省 PCB 空间。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 电池充电器及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的电子系统。
STP110N33FP,
IRF540N,
FDP15U30A,
IXTH11N330P
