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FN31N333J500EPG 发布时间 时间:2025/5/29 13:57:51 查看 阅读:10

FN31N333J500EPG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
  该型号适合在高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  Vds(漏源电压):330V
  Rds(on)(导通电阻):250mΩ
  Id(连续漏极电流):11A
  Vgs(th)(栅极阈值电压):4V
  f(switching)(最大开关频率):500kHz
  Qg(总栅极电荷):28nC
  EAS(雪崩能量):1.2J
  Tj(结温范围):-55℃至+175℃

特性

FN31N333J500EPG 具有以下关键特性:
  1. 高击穿电压 (330V),适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻 (250mΩ),减少传导损耗并提高效率。
  3. 优异的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  4. 快速开关能力,支持高达 500kHz 的开关频率,降低电磁干扰 (EMI)。
  5. 内置雪崩保护功能,增强器件的耐用性。
  6. 小巧的封装设计,节省 PCB 空间。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动与控制电路。
  4. 电池充电器及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的电子系统。

替代型号

STP110N33FP,
  IRF540N,
  FDP15U30A,
  IXTH11N330P

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