时间：2025/6/9 14:21:36
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FN31N332J500PXG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
FN31N332J500PXG 的封装形式为 PXG，这是一种表面贴装型封装，适合自动化生产并具备良好的散热性能。
最大漏源电压：330V
最大连续漏电流：31A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷（典型值）：64nC
总功耗：370W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻，减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 具备符合工业标准的静电放电（ESD）保护功能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 封装形式支持高效的热管理和机械稳定性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业控制设备中的负载开关。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电桩中的功率转换模块。
5. 电信设备中的 DC-DC 转换电路。
6. 各种需要高电压、大电流处理能力的应用场景。
IRFP460, STP30NF33L, FDP31N33B
