时间：2025/5/24 19:27:04
阅读：11
FN31N272J500PXG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频、高效率电源转换场景。该器件采用先进的封装工艺和材料，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于快充适配器、无线充电器以及 DC-DC 转换器等应用。其设计旨在降低功耗并提升系统效率，同时支持高频率工作以减小外部元件尺寸。
型号：FN31N272J500PXG
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：31 A
导通电阻：27 mΩ
栅极电荷：95 nC
输入电容：1800 pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
FN31N272J500PXG 具备以下主要特性：
1. 高效开关能力：得益于氮化镓技术，该器件具有更快的开关速度和更低的开关损耗。
2. 极低导通电阻：27 毫欧姆的 Rds(on) 确保在高电流应用场景中实现低功耗。
3. 小巧封装设计：相比传统硅基 MOSFET，氮化镓晶体管可以显著减少 PCB 占用空间。
4. 高温稳定性：允许最高结温达 175°C，适合恶劣环境下的可靠运行。
5. 出色的热性能：优化的封装结构有助于热量快速散发，从而提高整体可靠性。
6. 支持高频操作：能够以 MHz 级别频率工作，从而减少磁性元件体积和成本。
FN31N272J500PXG 主要应用于以下领域：
1. 高效电源适配器与充电器：包括 USB-PD 快充适配器。
2. 开关模式电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 无线充电设备：支持更高功率和更小尺寸设计。
4. 工业电源系统：如电机驱动控制器、逆变器等。
5. 数据中心及通信设备电源模块：满足高性能计算和网络设备的需求。
6. 能量回收电路：例如太阳能微逆变器中的高频开关部分。
FNE31N65S500PXG
GN065R031A
TX65031AG
