时间：2025/6/23 19:34:16
阅读：6
FN31N223J500EPG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件适用于高频和高效率应用场景，如开关电源、DC-DC转换器和无线充电系统等。其设计优化了导通电阻和开关速度，在高频工作条件下具有出色的性能表现。
该型号由知名半导体厂商提供，主要面向工业和消费类市场。它采用了先进的封装工艺以提升散热性能，并支持高达200V的工作电压。FN31N223J500EPG 在尺寸、功耗和效率方面均有显著优势，是新一代高效功率管理的理想选择。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷（典型值）：6nC
反向恢复电荷：无
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FN31N223J500EPG 的核心特性在于其使用氮化镓材料，这种材料具备宽禁带特点，使得器件能够承受更高的电压并减少能量损耗。此外，该芯片的低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，同时其快速开关能力也极大地降低了开关损耗。
该器件还具备以下关键优点：
- 高开关频率支持，最高可达5MHz。
- 内置ESD保护功能，增强可靠性。
- 极低的寄生电感设计，有助于改善动态性能。
- 热稳定性强，适合高温环境下运行。
- 小型化封装设计，节省PCB空间。
这些特性共同确保了FN31N223J500EPG在高性能应用中的卓越表现。
FN31N223J500EPG 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景中，包括但不限于：
- 开关电源适配器及快充模块。
- 数据中心服务器电源系统。
- 汽车电子中的DC-DC转换器。
- 工业设备中的电机驱动与逆变器。
- 无线充电发射端及接收端电路。
- LED驱动器及照明控制系统。
由于其优异的高频特性和高能效表现，这款芯片非常适合现代紧凑型、节能型电力电子设计。
FND31N223J500EPG, IRG4PH20KD, GaNFET200V7A
