时间：2025/5/29 13:56:51
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FN31N222J500PXG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，适用于高频开关和功率管理应用。其卓越的导通电阻和快速开关特性使其成为众多工业、汽车和消费电子领域中的理想选择。FN31N222J500PXG 具有低漏源导通电阻 (Rds(on)) 和高雪崩能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
此外，该器件还具备极低的栅极电荷和输出电容，可显著降低开关损耗并提升效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：22V
最大漏电流(Id)：-31A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot)：26W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220FP
FN31N222J500PXG 提供了卓越的性能表现，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在瞬态条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C)，适用于各种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 封装形式为 TO-220FP，便于安装和散热设计。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器，特别是降压和升压转换电路。
3. 电机驱动和逆变器应用。
4. 电池保护和负载开关控制。
5. 汽车电子设备，如电动助力转向系统和制动系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. LED 驱动电路中的功率开关元件。
IRL3103PBF, FDN31N22L, BUK31N22-20E
