时间：2025/5/23 14:15:05
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FN31N220J500PXG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等应用场合。
其设计目标是提供高效率、低损耗的性能表现，同时具有优异的热稳定性和可靠性。
型号：FN31N220J500PXG
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247-3L
最大漏源电压(Vds)：220V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：65mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：190W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN31N220J500PXG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在大电流条件下降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在过压情况下的鲁棒性。
4. 优化的栅极电荷 (Qg)，简化了驱动电路设计。
5. 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
这些特性使 FN31N220J500PXG 成为高性能功率转换应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统的关键功率转换元件。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和牵引逆变器。
5. 高频谐振转换器和其他需要高效功率处理的应用场景。
IRFP260N, STP31NF22, FDP31N22
