时间：2025/7/10 20:09:43
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FN31N153J500EPG 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种工业和消费类电子应用。其封装形式为 TO-247，适合高电流和高功率的应用场景。
该型号中的具体参数可以通过名称解析得到部分信息：31 表示该 MOSFET 的最大漏源电压为 31V；N 表示这是 N 沟道器件；153 表示连续漏极电流能力约为 153A（典型值）。
最大漏源电压：31V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：153A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下测量）
栅极电荷：94nC（典型值）
总电容：3850pF（输入电容）
功耗：500W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN31N153J500EPG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合驱动大功率负载。
3. 快速开关速度，能够支持高频应用。
4. 增强的热性能设计，确保在高功率条件下稳定运行。
5. 良好的短路耐受能力，提高系统的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 逆变器和 UPS 系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的高电流开关。
7. 各种需要高效功率转换和开关的应用场景。
IRF3205, FDP15N10, PSMN1R0-30YLD
