时间：2025/6/9 14:19:26
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FN31N104J500EPG是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种需要高效开关和低导通损耗的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性，广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。
该型号属于Fairchild（现为ON Semiconductor）的N沟道MOSFET系列，其设计重点在于提供低导通电阻和快速开关能力，从而优化系统效率并减少散热需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（典型值）：27mΩ
栅极电荷：8nC
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：PG-DSO-8
FN31N104J500EPG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，满足环保要求。
5. 宽工作温度范围，适应多种恶劣环境的应用需求。
6. 内置静电防护功能，提高了器件的抗干扰能力。
此外，其紧凑的封装形式使得该器件非常适合空间受限的设计。
FN31N104J500EPG适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
5. 各类消费电子设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率传输控制。
由于其高性能和高可靠性，该器件也常被用于汽车电子和通信基础设施中。
FDP31N10,
FQP30N06L,
IRFZ44N,
BST79N10LS-13E
