FN31N102J500PXG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的高压功率MOSFET。该器件采用N沟道增强型设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率功率转换场景中。
这款芯片具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:180mΩ
栅极电荷:9nC
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:SOT-223
FN31N102J500PXG的主要特性包括:
1. 高效的开关性能,可实现低损耗的功率转换。
2. 采用先进的工艺制造,确保器件具备良好的热稳定性和可靠性。
3. 具备快速的开关速度,支持高频应用。
4. 超低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的需求。
6. 强大的雪崩能力,能够在过载条件下提供额外保护。
该MOSFET适用于多种电力电子设备,具体应用包括:
1. 开关电源(SMPS)中的初级开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 小型电机驱动电路。
4. 电池充电管理模块。
5. LED驱动器和其他需要高效功率控制的场合。
IRFZ44N
FQP30N06L
STP36NF06