时间：2025/7/11 13:13:59
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FN21X821K500PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，适用于高频开关应用环境。
这款 MOSFET 采用了先进的半导体制造工艺，优化了其动态特性和静态特性，从而提高了效率并降低了功耗。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：94A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2580pF
总功耗：320W
工作结温范围：-55℃至175℃
FN21X821K500PXG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，减少电磁干扰和热损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
4. 紧凑的封装设计，适合高密度电路板布局。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境的应用需求。
FN21X821K500PXG 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 负载开关和保护电路中的电子开关。
4. DC-DC 转换器中的功率 MOSFET。
5. 各种工业控制设备中的功率转换组件。
IRF2807,
STP90NF50,
IXFK90N50T,
FDP9070
