时间：2025/6/19 10:49:27
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FN21X682K500PXG 是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了效率并降低了功耗。
该型号特别适合于高频率应用场合，能够承受较高的电压和电流负载，并且具备良好的热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：680V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
输入电容(Ciss)：3200pF
总功耗(Ptot)：125W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-247
FN21X682K500PXG 的主要特点是其具备超低导通电阻与优化后的开关特性，这使其非常适合要求高效能和高可靠性的应用环境。此外，它还拥有以下优势：
1. 高耐压能力（高达680V），适用于高压场景。
2. 极低的Rds(on)，减少了传导损耗。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下持续运行。
5. 具备短路保护功能，增强了产品的安全性。
6. 封装设计坚固耐用，便于散热管理。
FN21X682K500PXG 广泛用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. 逆变器及UPS系统。
3. DC-DC转换器。
4. 电动工具与家用电器中的电机驱动。
5. 工业自动化控制中的功率调节模块。
6. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及充电电路。
由于其高效率和高可靠性，这款MOSFET成为许多设计工程师的理想选择。
IRFP460, STP10NK60Z, FQA17P65E
