时间：2025/6/19 10:47:29
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FN21X222K500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。
这款功率MOSFET采用了N沟道增强型技术，能够提供高效的电力传输能力，并且具备快速的开关速度，从而减少能量损耗。此外，其坚固的设计和优化的封装形式确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
型号：FN21X222K500PXG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：22A
导通电阻(Rds(on))：380mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：125W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FN21XG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达500V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，减小开关损耗，提高系统性能。
4. 具备优异的热稳定性，即使在极端温度范围内也能保持稳定运行。
5. 强大的过流保护能力，可承受瞬时脉冲电流冲击。
6. 封装形式为TO-247，易于散热管理并适应多种安装方式。
7. 符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
FN21X222K500PXG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、工业电源等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和电平转换。
3. 电机驱动电路，支持高效控制。
4. 负载开关和保护电路，确保系统安全运行。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的电力转换组件。
7. 各种需要高电压、大电流处理能力的电力电子装置。
IRFP260N, STP22NF50, FDP22N50
