FN21X124K500ECG 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管,基于增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 技术。该器件采用先进的 GaN 材料,具备高开关速度、低导通电阻和高效能等特性,非常适合高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率转换应用。
FN21X124K500ECG 的设计使其能够在高频工作条件下提供卓越的效率和性能,同时减少了系统的尺寸和重量。此外,其封装形式优化了热管理和电气连接,进一步提升了可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:80nC
开关频率:>5MHz
封装类型:TO-247-4L
FN21X124K500ECG 具备以下主要特性:
1. 高击穿电压:支持高达 600V 的漏源电压,适用于高压应用。
2. 低导通电阻:仅 70mΩ 的导通电阻,显著降低了传导损耗。
3. 快速开关能力:能够实现超过 5MHz 的开关频率,适合高频应用。
4. 低栅极电荷:仅 80nC 的栅极电荷,减少了驱动功耗。
5. 高效散热:采用 TO-247-4L 封装,增强了散热性能和电气连接稳定性。
6. 高可靠性:通过多种应力测试,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
这些特性使得 FN21X124K500ECG 成为高频功率转换应用的理想选择,同时还能降低系统整体成本和复杂性。
FN21X124K500ECG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 通信设备:包括基站电源和电信设备中的高频转换器。
3. 工业自动化:如伺服驱动器和工业逆变器。
4. 汽车电子:电动汽车充电器和车载电源模块。
5. 太阳能逆变器:提高太阳能发电系统的效率。
6. 消费类电子产品:快速充电适配器和其他便携式设备的电源管理。
其高效率和高频能力使其成为现代电力电子系统的核心组件之一。
FN21X124K400ECG, FN21X124K600ECG