时间：2025/5/29 14:03:00
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FN21N6R8C500PAG是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺设计。该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等电力电子领域。其低导通电阻和高开关速度使其在高效能应用中表现出色。
FN21N6R8C500PAG具有良好的热性能和电气特性，能够在高频率和大电流环境下稳定工作。同时，它还具备短路保护和抗浪涌能力，以确保电路在异常情况下的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性，适用于高频开关电源和逆变器。
4. 优化的热性能，能够有效散热以保持长期稳定性。
5. 小型封装设计，节省PCB空间并简化布局。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
7. 内部设计包含ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率调节
7. 光伏逆变器及能量回收系统
IRFZ44N, FDP55N20, SI4869DY
