FN21N5R6D500PAG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款芯片采用了先进的制造工艺,确保其在高频和大电流应用场景中表现出优异的性能。此外,它还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,适合工业级和消费级电子产品的广泛需求。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
总功耗(Ptot):140W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高整体效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用环境。
3. 高耐压能力,支持高达500V的工作电压,适用于多种高压场景。
4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 提供高可靠性和长寿命设计,适应恶劣工作条件。
7. 支持表面贴装和插件封装,便于灵活设计和生产。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器及逆变器的核心组件。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 充电器及适配器设计中的关键元件。
7. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能实现。
IRFP460, STP50NF06, FQP19N50