时间：2025/6/30 11:44:52
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FN21N5R6D500PAG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款芯片采用了先进的制造工艺，确保其在高频和大电流应用场景中表现出优异的性能。此外，它还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，适合工业级和消费级电子产品的广泛需求。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 高耐压能力，支持高达500V的工作电压，适用于多种高压场景。
4. 良好的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供高可靠性和长寿命设计，适应恶劣工作条件。
7. 支持表面贴装和插件封装，便于灵活设计和生产。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器及逆变器的核心组件。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 充电器及适配器设计中的关键元件。
7. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能实现。
IRFP460, STP50NF06, FQP19N50
