时间：2025/7/9 14:59:35
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FN21N560J500PAG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和优异的开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。
该型号为 Fairchild（现属 ON Semiconductor）生产的一款增强型场效应晶体管，能够显著提升系统能效并降低功率损耗。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：21A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：85nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN21N560J500PAG 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压设计，能够承受高达 560V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 约为 0.05Ω，在大电流条件下可以有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss)，有助于提高工作效率。
4. 强大的热稳定性，支持的工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，适应极端环境需求。
5. 封装形式为 TO-247，提供良好的散热性能和机械强度。
该器件适用于多种高电压和高效率的应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
5. 高压 LED 驱动和汽车电子系统中的功率开关组件。
IRFP460, FQA22N50C, STW92N50M5
