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FN21N560J500PAG 发布时间 时间:2025/7/9 14:59:35 查看 阅读:13

FN21N560J500PAG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和优异的开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。
  该型号为 Fairchild(现属 ON Semiconductor)生产的一款增强型场效应晶体管,能够显著提升系统能效并降低功率损耗。

参数

最大漏源电压:560V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:85nC
  总电容:380pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

FN21N560J500PAG 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压设计,能够承受高达 560V 的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 约为 0.05Ω,在大电流条件下可以有效减少功率损耗。
  3. 快速开关性能,具备较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss),有助于提高工作效率。
  4. 强大的热稳定性,支持的工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,适应极端环境需求。
  5. 封装形式为 TO-247,提供良好的散热性能和机械强度。

应用

该器件适用于多种高电压和高效率的应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
  3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
  5. 高压 LED 驱动和汽车电子系统中的功率开关组件。

替代型号

IRFP460, FQA22N50C, STW92N50M5

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