时间：2025/6/17 5:20:01
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FN21N471J500PXG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT) 类别。该器件采用先进的封装技术，专为高频率、高效率应用设计。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于高频 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及其他功率转换应用场景。
该 GaN 晶体管具有优异的热性能，同时支持高达 200V 的工作电压，能够显著提高系统的功率密度并减少整体损耗。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：1380pF
输出电容：250pF
反向传输电容：130pF
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
FN21N471J500PXG 的主要特性包括：
1. 基于氮化镓材料，具备更高的电子迁移率和更低的导通损耗。
2. 支持高达 200V 的工作电压，满足多种高压应用场景需求。
3. 具备极低的导通电阻（80mΩ），可有效降低传导损耗。
4. 高速开关能力，开关频率可达数 MHz，适合高频应用。
5. 封装紧凑，提供卓越的散热性能。
6. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护，提升了系统可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业及消费类电子产品。
FN21N471J500PXG 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. USB-PD 快速充电器
3. 开关电源 (SMPS)
4. 无线充电发射端
5. LED 驱动器
6. 工业电机驱动
7. 消费类电子设备中的高频功率模块
由于其高效率和小尺寸，这款 GaN 功率晶体管是替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。
GN21N471K500PXG, FN21N470J500PXG
