时间：2025/7/1 8:26:13
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FN21N470J500PAG 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率电子领域。该型号由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。
这款 MOSFET 采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特性，能够在高频工作条件下保持高效能。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：21A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：85nC
总功耗：300W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
FN21N470J500PAG 的主要特点是其高压能力与较低的导通电阻相结合，从而降低了传导损耗。此外，它还具备以下优点：
1. 快速开关能力，适合高频应用；
2. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性；
3. 小型封装设计，便于 PCB 布局优化；
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保；
5. 稳定的动态性能，可减少电磁干扰问题。
该器件通常用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级；
2. 工业电机控制及变频器；
3. 太阳能逆变器中作为功率开关；
4. 电动工具和家用电器的驱动电路；
5. 各类需要高压大电流处理能力的系统中。
FQA21N470P,
IRFP260N,
STW47N60DM2
