时间：2025/7/10 20:13:39
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FN21N3R9C500PAG 是一款高性能的 N 沣道通硅基功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各类电源管理电路，如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池管理系统等。其封装形式为行业标准封装，便于安装与散热。
型号：FN21N3R9C500PAG
类型：N 沟道 MOSFET
工作电压：30V
最大漏源电流：-10A（连续）
导通电阻：4.5mΩ 典型值
栅极电荷：17nC 典型值
输入电容：980pF 典型值
开关速度：快速开关
封装：PAG
FN21N3R9C500PAG 的主要特点是低导通电阻和高效率性能，能够在高频条件下提供出色的功率转换能力。
1. 低导通电阻（Rds(on)）：在典型工作条件下，导通电阻仅为 4.5mΩ，从而显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关性能：通过优化栅极电荷参数，器件能够实现快速开关切换，减少开关损耗。
3. 热稳定性强：得益于其先进封装技术和内部结构设计，器件具备良好的热耗散能力，适合长时间高温运行环境。
4. 高可靠性：经过严格的测试筛选流程，确保在各种复杂工况下的稳定表现。
5. 小型化设计：紧凑型封装形式有效节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的应用场景。
FN21N3R9C500PAG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器等消费类电子设备中的 DC-DC 转换。
2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的高效驱动控制。
3. 电池管理系统（BMS）：保护锂电池组免受过充、过放等异常情况的影响。
4. 工业自动化：作为功率开关元件，用于各类工业级负载控制。
5. 汽车电子：支持车载电子设备中需要高可靠性和高效能的功率管理需求。
IRF3710, FDP5600, STP10NK60Z
