时间：2025/6/18 19:15:50
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FN21N3R3B500PAG是一款高性能的场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。它采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池保护等电路中。
型号：FN21N3R3B500PAG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：40A
导通电阻Rds(on)：3mΩ
总栅极电荷Qg：38nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
FN21N3R3B500PAG的主要特点是其超低的导通电阻，仅为3mΩ，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够承受高达40A的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。
该器件的栅极电荷较低，仅为38nC，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较少。同时，由于采用了优化的硅片设计和封装技术，FN21N3R3B500PAG表现出优异的热性能，能够有效地将热量散发到外部环境。
此器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在过载或短路条件下提供额外的保护。它的开关速度快，能够适应高频工作环境，适合于需要高效能量转换的场合。
FN21N3R3B500PAG广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 电源管理模块，如AC-DC适配器、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 电动车辆中的电机驱动电路和电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的负载开关和逆变器。
4. 高效DC-DC转换器的设计。
5. 大功率LED驱动器和其他类似的功率处理应用。
IRF260N
FDP5500
STP55NF06L
