时间：2025/6/16 18:38:18
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FN21N222J500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，从而确保了高效能与高可靠性。
该型号中的具体参数可以通过其命名规则来解析：'FN'代表厂商标识，'21N'通常表示额定耐压范围为200V左右的N沟道增强型MOSFET，'222'是特定的产品系列编号，而后续的字符则进一步定义了封装形式及特殊性能。
最大漏源极电压：200V
最大连续漏极电流：7A
栅极电荷：38nC
导通电阻（典型值）：0.2Ω
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FN21N222J500PXG具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合，如DC-DC转换器。
3. 强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合全球市场部署。
这款MOSFET广泛用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）设计，适用于笔记本适配器或LED驱动器。
2. 工业自动化设备中的电机控制单元。
3. 新能源汽车充电桩的核心功率变换模块。
4. 光伏逆变器中的功率级开关元件。
5. 各种需要大电流和高电压处理能力的电子电路。
IRFP260N, STP200N20, FDP22N20
