时间：2025/6/5 11:54:28
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FN21N200J500PAG是一款高压功率MOSFET，采用N沟道增强型技术。该器件适用于高电压应用场合，例如开关电源、电机驱动和逆变器等场景。其出色的性能源于先进的制造工艺和优化的芯片设计，确保了低导通电阻和高效率的表现。
该器件支持高达200V的漏源极电压，同时具备优秀的开关特性和热稳定性，使其在各种工业和消费类电子设备中具有广泛应用价值。
最大漏源电压：200V
连续漏电流：3.6A
导通电阻：0.4Ω
栅极电荷：7nC
开关时间：ton=18ns, toff=30ns
封装类型：TO-220
FN21N200J500PAG具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：支持200V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为0.4Ω，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度：通过优化的内部结构，实现了较短的开关时间（ton=18ns, toff=30ns），减少了开关损耗。
4. 热稳定性强：具备良好的散热性能和温度适应性，能够在严苛环境下稳定工作。
5. 可靠性高：经过严格的质量测试，确保长期使用中的可靠性与一致性。
6. 封装形式友好：采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
3. 逆变器：实现直流到交流的转换，适合太阳能逆变器等场景。
4. LED驱动：为高亮度LED提供稳定的电流输出。
5. 电池管理：用作充电电路中的关键元件，保障电池安全充放电。
IRF210
FQP17N20
STP36NF20
