时间：2025/5/23 14:19:03
阅读：19
FN21N1R8B500PAG是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型，适合在高频和高效率的应用场景中使用。其封装形式为TO-220，便于散热设计和安装。
型号：FN21N1R8B500PAG
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极电压）：500V
Rds(on)（导通电阻）：1.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：2.1A
Pd（总功耗）：75W
fT（特征频率）：4.9MHz
Vgs（栅源极电压）：±20V
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FN21N1R8B500PAG的主要特性包括：
1. 高耐压能力：支持高达500V的漏源极电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为1.8Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能：特征频率达到4.9MHz，可满足高频开关需求。
4. 高可靠性：采用坚固的设计和严格的测试流程，确保长期稳定运行。
5. 简化的热管理：TO-220封装具备良好的散热性能，简化了系统设计中的热管理问题。
6. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度区间，适应各种恶劣环境。
FN21N1R8B500PAG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换器中的开关元件。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 逆变器：在太阳能逆变器或UPS不间断电源中作为功率开关。
4. LED照明：实现高效调光和恒流驱动。
5. 工业自动化：用作工业设备中的功率控制元件。
6. 汽车电子：适用于车载电子系统中的高压切换场景。
IRF540N, FDP057AN, STP12NM50
