时间：2025/7/1 9:36:30
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FN21N1R2C500PAG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为开关和功率管理应用设计。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式为PAG，具有良好的散热性能和电气特性。
额定电压：60V
额定电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：35nC
最大工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PAG
FN21N1R2C500PAG采用先进的半导体制造工艺，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作环境，减少开关损耗。
3. 高度可靠的热稳定性，在高温条件下仍能保持稳定的性能。
4. 小巧的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
5. 符合RoHS标准，绿色环保，无有害物质。
6. 内置ESD保护电路，增强了器件的抗静电能力。
该MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机控制和驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机。
3. 负载开关和保护电路，提供过流、短路保护功能。
4. 充电器模块，例如便携式设备充电器或电池管理系统。
5. 汽车电子系统中的电源管理和信号调节。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。
IRFZ44N
FDP5570
STP55NF06L
