时间：2025/6/21 18:03:50
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FN21N151J500PAG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特性。其封装形式为 TO-263（DPAK），适用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。该型号由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：超高速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
FN21N151J500PAG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，降低磁性元件尺寸和成本。
3. 较小的栅极电荷和输出电荷，能够有效减少驱动功耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 具备出色的热性能，适合高功率密度的应用场景。
6. 支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和组装。
该器件还具有较高的雪崩能量能力，能够在异常条件下提供额外的保护。
FN21N151J500PAG 广泛应用于多种电力电子领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. LED 照明驱动器中的功率控制。
6. 工业设备中用于功率转换和控制的模块。
由于其高效的开关特性和较低的导通损耗，此 MOSFET 在需要高性能和紧凑设计的应用中表现出色。
FDP17N15E, IRF540N, STP160N15F5
