时间：2025/6/9 14:14:18
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FN18X823K500PBG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，能够承受较高的电压和电流，同时提供卓越的热性能和电气性能。其封装形式为PBG，具有良好的散热特性和机械稳定性，适合表面贴装技术（SMT）的应用场景。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：82A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至175℃
FN18X823K500PBG的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 高额定电流和电压能力，确保在严苛条件下稳定运行。
3. 快速的开关速度，减少开关损耗并提高系统效率。
4. 出色的热性能，支持长时间高负载操作。
5. 小型化的PBG封装，节省PCB空间并简化设计过程。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这些特点使该MOSFET成为各类高效电源转换和驱动应用的理想选择。
FN18X823K500PBG适用于多种领域，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED照明驱动和电池管理系统。
由于其高效率和可靠性，该器件在消费电子、工业设备以及汽车电子领域均表现出色。
IRF840,
FDP5800,
STP80NF06L
