FN18X272K500PSG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺以提供低导通电阻和高效率性能。其设计特点使其适合于需要高效能、快速开关的应用场景,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理电路。
该芯片通过优化的封装技术提供了出色的散热性能,同时保持了较小的体积,便于在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
导通电阻:272mΩ
栅极电荷:150nC
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
FN18X272K500PSRds(on)),能够显著降低传导损耗,从而提高系统整体效率。其具备良好的热稳定性和耐雪崩能力,能够在严苛的工作条件下长期运行。此外,由于采用了符合行业标准的TO-247封装,它易于集成到现有的电路设计中,并且支持高效的散热解决方案。
该器件还具备快速开关速度,这有助于减少开关损耗,同时改善电磁干扰(EMI)性能。内置的保护机制使其更加可靠,在短路或过载情况下可有效防止损坏。
其高击穿电压(500V)和大电流处理能力(18A)确保了它适用于各种高压和高功率应用环境。
FN18X272K500PSG广泛应用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。具体包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及AC-DC适配器中的功率级开关元件。
2. 各种类型的DC-DC转换器,如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 电动工具和家用电器内的无刷直流电机驱动电路。
4. 电动汽车充电设施和太阳能逆变器中的关键功率模块。
5. 高效功率因数校正(PFC)电路中的主开关管。
IRFP260N, STP18NF50, FDP18N50