FN18X271K500PSG 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高效率电源转换和开关电路。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适用于工业级和消费级电子设备中的开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够承受较高的电压,并提供稳定的电流输出能力。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.55Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FN18X271K500PSG 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:其漏源电压高达 500V,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 0.55Ω,有效降低功耗。
3. 快速开关特性:较小的栅极电荷使开关时间更短,提高整体效率。
4. 稳定性强:能够在宽温范围内保持稳定的电气性能。
5. 小型化封装:支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和节省空间。
6. 可靠性高:经过严格的测试与验证,确保长期使用中的可靠性。
该功率 MOSFET 广泛用于各种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器:用于电压调节或升压降压电路。
3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的工作状态。
4. 工业控制:如变频器、逆变器和 UPS 系统。
5. 汽车电子:如车载充电器、LED 驱动等。
6. 家用电器:例如空调压缩机、洗衣机驱动等场景。
IRFP250N, STP12NM50, FQP12N50