时间：2025/6/9 14:12:20
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FN18X154K160PSG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型技术。该器件主要应用于高电压和大电流场景，如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等。其设计注重低导通电阻和高效率，从而降低功耗并提升系统性能。
该芯片的封装形式为PQFN5*6，具有良好的散热特性和紧凑的尺寸，非常适合对空间有限制的设计。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻（典型值）：0.9Ω
栅极电荷：32nC
输入电容：1050pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适用于各种高压应用场景。
2. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗。
4. 极低的栅极电荷和输出电荷，支持高频操作。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 紧凑型PQFN封装，提供卓越的热性能和电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 工业电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压开关。
4. 用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 汽车电子中涉及高电压控制的应用场景。
IRFP460, STP12NM60, FDP18N80A
