时间：2025/6/17 5:18:15
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FN18X121K500PSG是一款高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而优化系统能效并减少热量产生。
FN18X121K500PSG设计为N沟道增强型MOSFET，其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型电路设计。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：121mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：开启延迟时间：47ns，关断传播时间：26ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220FP
FN18X121K500PSG的主要特点包括低导通电阻，有助于降低功率损耗；高击穿电压使其适用于高压环境；低栅极电荷提高了开关速度，从而减少开关损耗。此外，这款MOSFET具有优异的热稳定性和鲁棒性，能够在极端条件下可靠运行。同时，它还具备快速恢复二极管效应，这使得其在高频开关应用中表现尤为突出。
该器件还支持较低的输入电容和输出电容，进一步优化了动态性能。对于需要高能效和小尺寸解决方案的设计而言，FN18X121K500PSG是一个理想的选择。
FN18X121K500PSG广泛应用于各类功率电子设备，例如离线式开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动车窗和座椅调节器等汽车电子应用，以及工业电机驱动系统。由于其出色的开关特性和耐压能力，它也常被用于AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。此外，该芯片还可用于LED驱动器和其他需要高效功率管理的场景。
IRF840A
STP12NK50Z
FDP18N50
IXFK50N120
