时间：2025/6/18 19:12:41
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FN18X104K500PBG 是一款高性能、低功耗的铁电随机存取存储器 (FeRAM)，由 Ramtron（现已被 Cypress Semiconductor 收购）生产。该器件结合了非易失性存储和快速读写能力，适合需要频繁数据更新和断电后数据保持的应用场景。
FeRAM 技术通过利用铁电材料的特性实现了非易失性和高速性能的平衡，与传统的 EEPROM 或闪存相比，它具有更长的擦写寿命和更快的写入速度。
容量：512 Kbit
组织结构：64K x 8
工作电压(VDD)：1.7V 至 3.6V
待机电流：典型值 1 μA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：PBG (Plastic Ball Grid Array)
接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
擦写次数：超过 10^12 次
FN18X104K500PBG 的主要特点是其非易失性存储功能与极高的耐用性。
1. 非易失性：即使在电源中断后，数据依然能够被完整保存。
2. 高速写入：与传统 EEPROM 和闪存相比，FeRAM 写入时间更短，无需等待编程或擦除周期。
3. 超长寿命：支持超过一万亿次的擦写操作，适用于高频数据记录任务。
4. 低功耗：由于其独特的铁电技术，在读写操作时功耗显著低于其他类型的非易失性存储器。
5. 小型化封装：采用 PBG 封装形式，节省空间，非常适合对尺寸敏感的设计应用。
6. 广泛的工作温度范围：使其能够在各种工业和汽车环境中可靠运行。
该芯片广泛应用于需要高可靠性、低功耗和快速数据存储的场合：
1. 工业控制：如实时数据采集系统、状态监测设备等。
2. 汽车电子：包括发动机控制单元、导航系统、黑匣子记录仪等。
3. 医疗设备：例如便携式健康监控设备中的日志存储。
4. 消费类电子产品：用作配置文件保存、固件升级历史记录等功能。
5. 物联网 (IoT) 设备：提供持久的数据缓存和设置存储功能，同时降低能耗。
FM25L16、CY15B104Q
