时间：2025/5/23 11:26:41
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FN18N8R2D500PSG是一种高性能的功率MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，具备良好的开关特性和热性能。其封装形式为PG-TO263-3，适合高密度贴片安装，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及快速的开关速度，适用于高频开关电路设计。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：40nC
开关时间：ton=9ns，toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：PG-TO263-3
FN18N8R2D500PSG的主要特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻（2mΩ），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力（18A），满足大功率应用需求。
4. 支持宽范围的工作温度（-55℃至+175℃），适用于恶劣环境下的工作。
5. 具备良好的热性能，便于散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
7. 封装紧凑，适合表面贴装技术（SMT），节省PCB空间。
该型号的MOSFET适用于多种电力电子应用：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. DC-DC转换器中的高频开关元件。
5. 汽车电子中的电池管理及电源分配。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高效能表现和可靠性，该器件特别适合对效率和散热要求较高的场景。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06
