时间：2025/6/9 14:09:58
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FN18N6R8C500PSG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 芯片，广泛应用于功率转换和电机驱动领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
该型号专为要求高效率和高可靠性的应用设计，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：典型值 15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN18N6R8C500PSG 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，能够适应高频操作环境，同时其优化的热设计确保了长期运行中的稳定性。
该芯片还具备出色的 ESD 防护能力，提高了抗干扰性能。由于采用了增强型封装技术，其散热性能得到了显著提升，进一步增强了可靠性。另外，其紧凑的设计使得它非常适合空间受限的应用场景。
FN18N6R8C500PSG 主要用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及其他需要高效功率管理的场合。
在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器和逆变器；在家用电器中，它可以实现对压缩机、风扇等电机的精确控制；在工业自动化设备中，该 MOSFET 可以支持更复杂的运动控制方案。
IRFZ44N
FDP16N60
STP18NM60E
