时间：2025/6/18 19:22:31
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FN18N681J500PSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于多种电源管理及开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其设计旨在提高效率并减少能量损耗，非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、负载开关等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.05Ω
栅极电荷：75nC
输入电容：2200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
FN18N681J500PSG具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗并提高了整体系统效率。
2. 高速开关能力，能够支持高频操作，适合现代高效能电源转换器。
3. 强大的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 支持高漏极电流，能够在大功率应用中保持稳定性能。
5. 广泛的工作温度范围，使其适应各种极端条件下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
3. 负载开关和保护电路，确保系统安全运行。
4. LED驱动器，为大功率LED照明提供精确的电流控制。
5. 逆变器和不间断电源（UPS）中的功率转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
IRFP460, STP18NF55, FDP18N65C3
