时间：2025/5/23 14:17:16
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FN18N680J500PSG是一款高压功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高电压应用。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高系统的效率和可靠性。
该型号属于Fairchild（现已被ON Semiconductor收购）旗下的MOSFET系列，其设计旨在满足高性能电力电子设备的需求。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.5Ω
栅极电荷（典型值）：23nC
输入电容（典型值）：490pF
结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
FN18N680J500PSG具备以下关键特性：
1. 高击穿电压（680V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（0.5Ω典型值），有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 优化的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 强大的雪崩能力，提升器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
这款MOSFET非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
FN18N680J500PSG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 工业电机驱动电路中的功率开关。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各类高压DC-DC转换器。
5. 电动车及电动工具的驱动控制模块。
由于其高耐压特性和良好的散热性能，该器件特别适合要求高稳定性的高压环境。
IRFP460,
FQA18N65,
STW85NM65,
IXFN100N65T2
