FN18N680J500PSG是一款高压功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高电压应用。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。
该型号属于Fairchild(现已被ON Semiconductor收购)旗下的MOSFET系列,其设计旨在满足高性能电力电子设备的需求。
最大漏源电压:680V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):0.5Ω
栅极电荷(典型值):23nC
输入电容(典型值):490pF
结温范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-247
FN18N680J500PSG具备以下关键特性:
1. 高击穿电压(680V),适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻(0.5Ω典型值),有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,减少开关损耗。
4. 优化的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
5. 强大的雪崩能力,提升器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
这款MOSFET非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
FN18N680J500PSG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 工业电机驱动电路中的功率开关。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 各类高压DC-DC转换器。
5. 电动车及电动工具的驱动控制模块。
由于其高耐压特性和良好的散热性能,该器件特别适合要求高稳定性的高压环境。
IRFP460,
FQA18N65,
STW85NM65,
IXFN100N65T2