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FN18N680J500PSG 发布时间 时间:2025/5/23 14:17:16 查看 阅读:14

FN18N680J500PSG是一款高压功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高电压应用。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于Fairchild(现已被ON Semiconductor收购)旗下的MOSFET系列,其设计旨在满足高性能电力电子设备的需求。

参数

最大漏源电压:680V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):0.5Ω
  栅极电荷(典型值):23nC
  输入电容(典型值):490pF
  结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-247

特性

FN18N680J500PSG具备以下关键特性:
  1. 高击穿电压(680V),适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻(0.5Ω典型值),有助于降低功耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗。
  4. 优化的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 强大的雪崩能力,提升器件在异常条件下的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  这款MOSFET非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。

应用

FN18N680J500PSG广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 工业电机驱动电路中的功率开关。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 各类高压DC-DC转换器。
  5. 电动车及电动工具的驱动控制模块。
  由于其高耐压特性和良好的散热性能,该器件特别适合要求高稳定性的高压环境。

替代型号

IRFP460,
  FQA18N65,
  STW85NM65,
  IXFN100N65T2

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