FN18N5R0D500PSG是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,支持高频率开关操作,同时具备良好的热性能和可靠性,适合工业及消费类电子应用。
型号:FN18N5R0D500PSG
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源极电压):50V
RDS(on)(导通电阻):5mΩ(典型值,25°C时)
IDS(连续漏极电流):18A
总功耗:240W
栅极电荷:6nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-247
FN18N5R0D500PSG的主要特性包括:
1. 低导通电阻(RDS(on)),在25°C条件下仅为5mΩ,能显著减少导通损耗。
2. 快速开关能力,栅极电荷低至6nC,适合高频应用。
3. 高额定电流,可承受高达18A的连续漏极电流,满足大功率需求。
4. 宽工作温度范围,从-55°C到175°C,适应各种极端环境。
5. 热性能优异,有助于提高系统的可靠性和稳定性。
6. 封装为TO-247,便于散热管理且易于集成到各类电路设计中。
这些特性使得FN18N5R0D500PSG成为高效功率转换和控制的理想选择。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS),用于DC-DC转换和AC-DC适配器。
2. 电机驱动,特别是在无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制中。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费电子产品如笔记本电脑适配器和LED照明驱动。
FN18N5R0D500PSG凭借其卓越的性能和可靠性,能够为上述应用提供高效的功率转换解决方案。
IRF540N
FDP5800
STP18NF50