时间：2025/5/23 14:16:05
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FN18N4R7C500PSG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为行业标准的贴片封装，适合表面贴装技术（SMT）装配流程。
该型号的主要特点是针对中高功率应用进行了优化，能够提供更高的电流承载能力和更低的功耗，同时保持较高的开关速度。FN18N4R7C500PSG 的设计使其在多种电子设备中表现出优异的性能，例如适配器、充电器、DC-DC 转换器和 LED 驱动器等。
漏源极击穿电压：70V
连续漏极电流：26A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：65nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN18N4R7C500PSG 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于高频电源转换应用。
3. 优化的栅极电荷设计，可降低驱动功耗。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，提高了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 良好的热性能，允许更高的功率密度和更小的散热设计要求。
这些特性使得 FN18N4R7C500PSG 成为高性能功率管理应用的理想选择。
FN18N4R7C500PSG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 充电器和适配器中的功率管理模块。
6. LED 照明系统的恒流驱动电路。
由于其强大的性能和灵活性，这款 MOSFET 在消费类电子产品、工业自动化和汽车电子等多个行业中都得到了广泛应用。
IRFZ44N
FDP18N06L
STP16NF06L
