时间：2025/5/23 14:15:17
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FN18N4R7B500PSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高耐压特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为TO-220，适合散热需求较高的应用场合。此外，FN18N4R7B500PSG还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于优化高频电路性能。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：50nC
总电容：300pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
FN18N4R7B500PSG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达700V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（0.18Ω），可显著减少导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷（50nC），非常适合高频操作。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然能保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装为TO-220，易于安装和散热设计。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷直流电机。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED驱动器和负载切换电路。
6. 各种需要高效功率转换和开关操作的电子设备中。
IRF840,
STP18NF06,
FDP18N70,
IXTH18N70P
