时间：2025/6/26 16:32:18
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FN18N3R9B500PSG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，专为高功率应用设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等。其封装形式为TO-247，能够承受较大的电流和电压波动。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：2300pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
FN18N3R9B500PSG具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提升效率。
2. 高耐压能力，使其适用于高压环境下的工业及汽车应用。
3. 快速开关性能减少了开关损耗，从而提高整体系统效率。
4. 采用坚固耐用的TO-247封装，提供卓越的散热性能和电气稳定性。
5. 能够在极端温度条件下稳定运行，适应恶劣的工作环境。
6. 符合RoHS标准，绿色环保且易于集成到现有设计中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和逆变器。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的高压模块。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
5. 高效DC-DC转换器，用于电信基础设施和数据中心电源解决方案。
IRFP260N
FDP18N90
STP18NB90K5
