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FN18N3R0C500PSG 发布时间 时间:2025/5/23 14:13:54 查看 阅读:15

FN18N3R0C500PSG是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,能够提供较低的导通电阻和快速的开关速度,从而减少能量损耗并提高系统性能。
  该型号属于高压功率MOSFET系列,适用于各种工业、消费类及汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:15nC
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

FN18N3R0C500PSG具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 热稳定性好,能够在宽温范围内可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 内部集成ESD保护电路,提高了抗静电能力。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代。
  3. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 太阳能逆变器内的功率转换模块。
  6. 各种工业自动化设备中的功率调节单元。

替代型号

IRF3205
  FDP18N06L
  STP18NF06

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