FN18N390J500PSG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他电力电子设备中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效的性能。
型号:FN18N390J500PSG
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:390V
最大连续漏极电流:18A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):0.1Ω
总功耗:45W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
FN18N390J500PSG具备以下主要特性:
1. 高击穿电压,能够承受高达390V的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻,减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力,适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
5. 强大的过流保护能力,提高系统的安全性和可靠性。
6. 封装形式为TO-247,便于散热设计和安装。
这些特性使得该MOSFET非常适合用于需要高效功率转换和稳定性能的场合。
FN18N390J500PSG适用于多种工业和消费类电子产品领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 逆变器模块
4. 太阳能逆变器
5. 电动车驱动系统
6. 工业自动化设备中的功率管理
其高压和大电流处理能力使其成为许多高功率应用的理想选择。
IRFZ44N
FQP17N50
STP18NF50