时间：2025/5/23 11:26:05
阅读：7
FN18N332J500PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沃特功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，适用于高效率和高密度功率转换应用。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
该型号中的具体参数含义如下：FN 表示 Fairchild 品牌，18 表示最大漏源电压为 18V，N 表示 N 沃特型，332 表示导通电阻的标称值，J500 表示特定的封装和性能优化等级，PBG 表示采用 Pb-Free（无铅）工艺生产。
最大漏源电压(Vds)：18V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：76A
导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ
栅极电荷(Qg)：94nC
输入电容(Ciss)：4200pF
总功耗(Ptot)：220W
结温范围(Tj)：-55°C 至 175°C
FN18N332J500PBG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频功率转换应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，采用无铅封装工艺。
5. 提供强大的散热性能，支持高功率密度设计。
6. 紧凑的封装设计节省了 PCB 空间。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器和同步整流电路。
2. 开关电源（SMPS）中的功率级元件。
3. 电机驱动和逆变器模块。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 电信设备和服务器电源中的高效功率转换解决方案。
IRF3710, FDP18N10C, STP17NF06L
