时间：2025/7/5 3:52:01
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FN18N2R2B500PSG是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关特性，从而实现更高的效率和更低的功耗。
FN18N2R2B500PSG的主要特点是其出色的热性能和电气性能，能够在高频工作条件下保持稳定，同时具备良好的抗电磁干扰能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：500V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：18A
导通电阻(R_DS(on))：2.2Ω（典型值，V_GS=10V时）
功耗(P_TOT)：340W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
FN18N2R2B500PSG具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达500V的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 超低导通电阻，典型值为2.2Ω，在同级别产品中表现出色，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度，能有效减少开关损耗，提高整体系统效率。
4. 优异的热稳定性，允许在高温环境下长时间运行，适合工业级和汽车级应用。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 封装形式通常为TO-247或类似封装，便于散热设计。
该功率MOSFET适用于多种领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率控制模块。
5. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率管理单元。
IRFP460,
STP18NF50,
FQA18N50,
IXFN18N50P
