时间：2025/7/1 9:33:44
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FN18N272J160PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著减少功率损耗并提高系统性能。
该型号中的关键参数包括 272V 的漏源极击穿电压（Vds），以及在典型工作条件下的极低导通电阻。其封装形式为 PBG，适合表面贴装应用，具备良好的热性能和电气性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源极击穿电压 (Vds)：272 V
连续漏极电流 (Id)：160 A
栅极电荷 (Qg)：150 nC
导通电阻 (Rds(on))：45 mΩ
封装：PBG
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FN18N272J160PBG 提供了出色的性能，尤其是在高压应用中表现优异。其主要特性包括：
1. 高电压耐受能力，适用于多种工业及汽车应用。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保了高效率和较低的功率损耗。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，可在极端温度范围内可靠运行。
5. 表面贴装封装设计简化了 PCB 布局和装配流程。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高效能量转换和快速响应的应用场景。
FN18N272J160PBG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，特别是高压电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 电动车充电设备和电池管理系统。
6. 各类高压开关应用，例如 LED 驱动器和电子镇流器。
由于其高性能和可靠性，该器件成为许多工程师设计高压电路时的首选。
FDP18N27,
IRFP270N,
STP160N27W,
IXTH160N27L
