时间：2025/6/23 19:29:54
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FN18N180J500PSG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，主要应用于高电压、大电流场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，适用于工业、汽车以及消费电子领域的多种应用。
这款芯片的设计使得其在高效率电源转换、电机驱动和负载切换等场合中表现优异。FN18N180J500PSG 的封装形式通常为行业标准封装类型，确保了其良好的散热性能和可靠性。
型号：FN18N180J500PSG
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：180V
Rds(on)（导通电阻）：50mΩ（典型值，在特定条件下）
Id（连续漏极电流）：18A
Qg（栅极电荷）：35nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装：PG-TO247 或类似封装
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高击穿电压（180V），适合于高压应用场景。
3. 快速开关能力，降低开关损耗。
4. 具备良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
7. 支持高频率操作，适用于开关电源（SMPS）、DC/DC 转换器和其他高频电路。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 汽车电子中的各类功率控制模块。
7. 可再生能源领域，例如太阳能逆变器中的功率调节单元。
IRF180PBF
STP18NF06L
FDP18N18
IXTH18N180P
Si7850DP
