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FN18N151J500PSG 发布时间 时间:2025/6/30 11:40:54 查看 阅读:4

FN18N151J500PSG 是一款 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS),广泛应用于电源管理、开关电路以及其他需要高效功率转换的场景中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度等优点,能够显著降低系统功耗并提高整体效率。
  这款 NMOS 的封装形式为符合行业标准的 TO-247 或者 TO-263 封装(具体需参考数据手册)。它适用于工业级及商业级应用,并且在高温环境下仍然可以保持稳定的性能。

参数

电压 - 漏源极:150V
  电流 - 漏极(连续):18A
  电阻 - 导通(最大值,典型值):40mΩ
  电荷 - 栅极总电荷:80nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  功耗 - 最大功耗:250W

特性

FN18N151J500PSG 具有以下显著特点:
  1. 高电压耐受能力,支持高达 150V 的漏源极击穿电压,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,从而提升整体能效。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷,确保其在高频条件下依然表现出色。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内提供可靠的操作性能。
  5. 紧凑型封装设计,方便集成到各类电路板中,同时有助于散热管理。
  6. 可靠性高,具有出色的抗静电能力和长期使用中的稳定性。

应用

该器件适用于多种领域和应用场景,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
  2. 工业电机驱动中的功率控制元件。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. LED 照明系统的驱动电路。
  5. 各类电池充电器和 DC-DC 转换器。
  6. 电动汽车和混合动力汽车中的辅助功率管理系统。
  7. 数据中心服务器和其他高性能计算设备中的电源供应单元。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15N10
  STP18NF15W

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