时间：2025/6/4 0:07:09
阅读：4
FN18B474K500PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 PQFN3*3-16L，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。
FN18B474K500PBG 的主要特点是高电流承载能力、低导通电阻以及快速开关特性，使其在电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和其他电力电子应用中表现出色。此外，其出色的 ESD 保护设计也增强了产品的可靠性。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：24A
导通电阻：4.7mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=9ns, toff=19ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PQFN3*3-16L
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，能够减少开关损耗，提升高频应用性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
4. 内置 ESD 保护，提高了产品在制造和使用过程中的抗静电能力。
5. 小型化的 PQFN 封装，节省 PCB 空间，同时提供优异的热性能。
6. 宽广的工作温度范围，确保了器件在极端环境下的可靠运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 驱动器中的高效功率转换元件。
7. 各类便携式电子设备中的功率管理单元。
FDMC8802, FDP5502, IRFZ44N
