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FN18B474K500PBG 发布时间 时间:2025/6/4 0:07:09 查看 阅读:4

FN18B474K500PBG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 PQFN3*3-16L,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的设计。
  FN18B474K500PBG 的主要特点是高电流承载能力、低导通电阻以及快速开关特性,使其在电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和其他电力电子应用中表现出色。此外,其出色的 ESD 保护设计也增强了产品的可靠性。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:4.7mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=9ns, toff=19ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN3*3-16L

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够减少开关损耗,提升高频应用性能。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受能力。
  4. 内置 ESD 保护,提高了产品在制造和使用过程中的抗静电能力。
  5. 小型化的 PQFN 封装,节省 PCB 空间,同时提供优异的热性能。
  6. 宽广的工作温度范围,确保了器件在极端环境下的可靠运行。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. LED 驱动器中的高效功率转换元件。
  7. 各类便携式电子设备中的功率管理单元。

替代型号

FDMC8802, FDP5502, IRFZ44N

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